三星携手海力士开发下一代半导体技术

来源: 中国下载门户 Down.com.cn 时间:2008年07月11日 15:11
原本互相竞争的三星电子和海力士为研发下一代半导体、国际标准化和扩大设备及材料国产化,决定携手合作。从9月份开始,双方共同研发兆兆位级(万亿比特)下一代半导体“STT-R随机存储器”的原创技术。

  两家公司计划从2012年开始重点研发“STT-M随机存储器”,以满足逐渐出现的市场需求。“STT-M随机存储器”是下一代存储器中性能最好的产品,因此,一旦确保基础技术,就可以每年节约5亿美元的专利使用费。

  此外,为提高半导体设备及材料的国产化,三星电子和海力士还决定在明年年底前追加购买6463亿韩元的国产设备和材料。

[发表评论] [复制链接] [打印] [返回首页]
网友最新评论
发表评论
用户名: 新注册) 密码: 匿名评论
评论内容:(不能超过250字,需审核后才会公布,请自觉遵守互联网相关政策法规。
·用户发表意见仅代表其个人意见,并且承担一切因发表内容引起的纠纷和责任。
·本站管理人员有权在不通知用户的情况下删除不符合规定的评论信息或留做证据。
·请客观的评价您所看到的资讯,提倡就事论事,杜绝漫骂和人身攻击等不文明行为。